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ENJ2005-B半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)，支持電流階梯升級(jí)至1250A。采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸 入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。被測(cè)器件引腳接觸自動(dòng)判斷功能。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試工裝，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電 纜長(zhǎng)度引起的壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面操作，便于各 測(cè)試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn)，具有使用便捷、測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)，適合于各測(cè)試器件使用現(xiàn)場(chǎng)及產(chǎn)線維護(hù)場(chǎng)合使用。

STS8203S半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司在全新一代測(cè)試系統(tǒng)STS8200測(cè)試平臺(tái)上開發(fā)的系列測(cè)試產(chǎn)品之一。本系統(tǒng)可用于各類二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管及多陣列器件等各類分立器件的功能和交參數(shù)測(cè)試。